功率半導體：GaN-on-Si HEMT / SiC 元件

在新世代的能源應用中，功率半導體扮演著核心角色。新勢明科技提供全方位的解決方案，涵蓋 GaN-on-Si HEMT 與 SiC 元件我們產品線提供橫跨低電壓至高電壓，從裸晶、Wafer 到零組件完整品項選擇，確保您的電力轉換系統達到最高效率與可靠性。無論您身處電動車、再生能源或工業應用領域，我們的專業技術都能為您提供最優質的產品與支援。

代理品牌


Innoscience 英諾賽科，中國公司，總部位於珠海。全球領先的 8 吋 GaN 功率半導體 IDM 企業。股票代號 : 2577.HK。	CoolCAD Electronics，美國公司，總部位於馬里蘭州羅克維爾。專精於寬能隙半導體材料，特別是 SiC 的先進建模、設計與製程優化。
技術特色專注於氮化鎵功率元件的研發、設計、製造與銷售，產品涵蓋 GaN HEMT、Solid GaN (Driver + GaN)、V-GaN (Bi-directional) 等。廣泛應用於消費電子、可再生能源、工業應用、汽車電子和資料中心。	技術特色提供獨特的 SiC 材料與元件模型開發、製程技術開發支援、先進器件模擬及量測分析服務。特別應用於高頻、高功率及高溫的電子裝置。
產品高效能、低成本之 15V - 700V GaN Wafer、低電壓 Discrete 等。	產品 SiC Wafers、Bare Chips、Components 等。
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